Challenge
フォトリソグラフィは、デバイス性能を決める上で、半導体製造工程において最も重要で難しい部分です。リソグラフィでは、デバイス構造をフォトレジストに描いた後、ウエハに転写します。この工程は、エッチの工程と緊密に結びついており、この2つの工程がウエハの実際のフィーチャ・サイズを決定します。テクノロジー・ノード65 nm以下のリソグラフィには深刻な課題があり、ダブルエクスポージャ、ダブルパターニング、液浸リソグラフィ、将来的にはＤＵＶなど、さまざまなパターニング方法が生まれています。このようなパターニングは、許容誤差のない精密なプロセスコントロールを必要とします。リソグラフィのプロセスモニターとコントロールにおいては、CD、ＳＷＡ、エッチ深さのほか、フット、ノッチ、アンダーカットなどの微細なプロファイルの特徴を含め、あらゆるプロファイルを正確に測定する必要があります。

Solution
ＮＯＶＡのスキャトロメトリソリューションは、上層、中層、下層のCD、ＳＷＡ、フット、ノッチ、アンダーカット、その他の微細な形状のパラメータ、基礎材料の光学特性（n, k）など、あらゆるCD計測と形状プロファイル測定を可能にします。高精度、フリート・マッチング、最大150 WPHの高スループットを誇るＮＯＶＡの計測技術により、ウエハ・パターニングのアドバンスト・プロセス制御（APC）を実現することができます。
ＮＯＶＡは、トラック・システムまたはエッチャーに組み込む計測機器(ＩＭ)およびロット間コントロールのためのスタンドアロン型計測機器(ＳＡ)の提供により、ウエハ・パターニング・プロセスのモニターとコントロールに対応する完全な計測ソリューションを提供しています。トラックとスキャナへのフィード・バック、エッチャーへのフィード・フォワードとフィード・バックを行うことができます。