Challenge
Cu CMPは、デュアル・ダマシンの一環として、比較的柔らかいCu膜をターゲット膜厚に平坦化し、欠陥のない滑らかで均一な表面を作ります。Cu CMPで問題となるのは、軟らかい金属膜やポーラスＬｏｗＫ材料などに起因する、Cuディッシングや絶縁膜のエロージョンなどから生じるデバイス性能の低下、イ－ルドの低下です。したがって、緻密なプロセスコントロールにより指定どおりの絶縁膜およびＣｕ配線厚さを確保し、且つ残渣がないようにする必要があります。

Solution
ＮＯＶＡは、CMPプロセス制御の業界リーダーであり、ＮＯＶＡの計測ソリューションは、Ｃｕ配線厚さ、ディッシング、エロージョン、金属残渣の高精度計測を実現します。また、クローズド・ループ・コントロールを実現し、CMPスループットと歩留まりを向上させます。組み込み型（IM）機器は、Ｃｕ配線高さを計測時で、最大200 WPHのスループットがあります。ロット間制御が必要な場合は、スタンドアロン型(ＳＡ)装置により、最大150 WPHのスループットと業界をリードするフリート（ツール間）マッチングによりコスト効果の高いソリューションとなります。
デバイスの微細化につれ、NOVAの計測ソリューションは、ソリッド・パッドに限らず、2D、3Dテスト構造やダイ内にも適用可能となります。